ASICs auf ultradünnen Silizium-Filmen
Immer mehr Anwendungen, wie z.B. in Folien oder Kreditkarten integrierte Mikrochips, erfordern Chips mit Stärken von 10 µm bis 50 µm.
Das Schleifen der Siliziumwafer nach dem IC-Herstellungsprozess
auf Stärken unter 50 µm ist ein sehr kostenintensiver und ausbeutekritischer Prozess. Der am IMS entwickelte und zum Patent angemeldete neuartige Chipfilmprozess erlaubt es, integrierte Schaltungen auf Siliziumfilmen mit Stärken kleiner 20 µm kosteneffizient herzustellen.
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